把涂有光刻膠的基板與掩膜重疊，光刻圖形的曝光裝置。為了實現(xiàn)多層曝光時的自動對位，裝配有顯微鏡和X?Y?θ對位臺。自動進行基板的供給、對位、曝光、排出。

特長：

裝載有邊緣傳感器和間隙傳感器的非接觸式近接曝光裝置。*適合觸摸屏及有機EL等的量產。

采用獨自的平行調整機構,能夠高精度地設定掩膜與Wafer間的近接間隙。
利用獨自的高速圖像處理技術,實現(xiàn)高精度的對位。
利用圖像處理技術,使預對位可對應薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。
利用獨自的接觸壓力精密控制機構,能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。
通過Wafer的背面真空吸著方式,實現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動搬送。

		MA-4000
Wafer尺寸		?2～4"	?4～6"
掩膜尺寸		□5"	□7"
光源		超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
外觀尺寸及重量	本體尺寸	W1340 x D1430 x H1900mm
	本體重量	1120kg
選購項		生產管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對位、○□基板兼用

※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽